发明名称 三维印刷电路板工技之保形光掩模
摘要 于诸如:天线罩或三维印刷电路板的双曲线半球体基质上制作一可重覆使用的保形光掩模的方法,是先将光阻物质附在相当于天线罩或印刷电路板的形状之外壳或保型器上,接着,在光阻物质上形成图型,并依据此图型以去除部分光阻物质,去除后所得的图型即相当于在三维印刷电路板或天线罩所欲形成的图型,然后将光透过层覆置于光阻层上,以作为支撑,由光阻物质与光透过物质所构成可重覆使用的保形光掩模,最后可从外壳上取下来。可重覆使用的保形光掩模可用来在三维印刷电路板或天线罩上形成所需图型的影像。
申请公布号 TW218433 申请公布日期 1994.01.01
申请号 TW082105714 申请日期 1993.07.19
申请人 马丁.马利达股份有限公司 发明人 约翰.瓦佛德;瑞奇.D.亚金斯;詹姆斯.E.佛曼
分类号 H01Q1/42;H05K3/26 主分类号 H01Q1/42
代理机构 代理人 张毓秀 台北巿长安东路二段五十二号八楼
主权项 1﹒一种用来在实质上非平面基质上形成预定 图型之可重覆使用的保形光掩模之制作方 法包含下列步骤: 根据实质上非平面基质的形状,形成 一坚硬外壳之步骤; 使用一可去除的光阻物质来被覆此坚 硬外壳之步骤; 根据所欲形成在实质上非平面基质上 的预定图型,除去对应部分的光阻物质之 步骤;以及 于光阻物质上,涂上米透过物质之步 骤。 2﹒依申请专利范围第1项之方法,其中光阻 物质为一金属薄膜,且去除部分金属薄膜 的方式,是先用光阻物质覆盖在此金属薄 膜上,再显影预定的图型至光阻物质上, 然后根据预定的图型来蚀刻拟去除部分金 属薄膜。 3﹒依申请专利范围第2项之方法,其中光透 过物质是经由喷涂或浸染方式,而被覆在 光阻物质之上。 4﹒依申请专利范尔第2项之方法,其中光透 过物质是使用热成形方法,施加在光阻物 质之上。 5﹒依申请专利范围第1项之方法,其中对应 于预定图型的部分光阻物质,是使用凝聚 光源而予以削除的。 6﹒依申请专利范围第5项之方法,其中光阻 物质包括第一有机物质,而光透过薄膜包 括第二有机物质。 7﹒依申请专利范围第6项之方法,其中第一 有机薄膜是经由静电式喷涂而涂覆在坚硬 外壳上,而第二有机薄膜是在第一卡机薄 膜削除后,才施覆在其上。 8﹒一种用来在实质上非平面基质上形成预定 图型之可重覆使用的保形光掩模,包含: 一光阻物质层,形成于相当于实质上 非平面基质之形状的坚硬外壳上,且此光 阻物质层中有部分根据欲形成于此非平面 基层上之预定图型的形状予以去除者;以 及 被覆在光阻物质上的光透过物质。 9﹒依申请专利范围第8项之可重覆使用的保 形光掩模,其中光阻物质为一金属薄膜, 且其金属薄膜的去除部分,是先用光阻物 质覆盖在此金属薄膜上,然后显影预定的 图型至光阻物质上,再根据预定的图型来 侵蚀该部分金属薄膜而形成的。 10﹒依申请专利范围第9项之可重覆使用的 保形光掩模,其中光透过物质是经由喷涂 或浸染过程,而施覆在光阻物质之上。 11﹒依申请专利范围第9项之可重覆使用的 保形光掩模,其中光透过物质是使用热成 形方法,而施加在光阻物质之上。 12﹒依申请专利范围第8项之可重覆使用的 保形光掩模,其中对应于预定图型的部分 光阻物质,是使用凝聚光源而予以削除的。 13﹒依申请专利范围第12项之可重覆使用的 保形光掩模,其中光阻物质包括第一有机 物质,而光透过薄膜包括第二有机物质。 14﹒依申请专利范围第13项之可重覆使用的 保形光掩模,其中第一有机薄膜是经由静 电式喷途而涂覆在坚硬外壳上,而第二有 机薄膜是在第一有机薄膜削除后,才涂覆 在其上。图示简单说明: 图1A为使用本发明之保形光掩模来制 作的天线真的透视图; 图1B为图lA中的天线罩之部分表面图 示; 图2为依据本发明之第一及第二实施 例所制造的保形光掩模的局部横断面; 图3为依据本发明之第三实施例所制 造的保形光掩模的局部横断面;以及 图4为保形光掩馍及三维底层的横断 面图。
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