| 发明名称 | 阻障堆栈和它的制造方法 | ||
| 摘要 | 用于保护装置免受湿气和气体渗透的阻障堆栈，包含作用为平坦化层、去耦合层和/或平滑层的第一层，在所述第一层上的作用为耐等离子体保护层的第二层和在第所述二层上的作用为阻障层的第三层。所述第一层包括聚合或有机材料。所述第二层包括无机材料或聚合材料。所述第三层包括无机材料，并具有与所述第二层不同的密度和/或折射率。所述阻障堆栈可进一步包括作用为在所述第一层和所述基板间的衔接层的第四层。 | ||
| 申请公布号 | CN103474579B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310223875.3 | 申请日期 | 2013.06.06 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社 | 发明人 | 洛伦扎·莫罗;戴名恩·伯施;曾祥辉;西纳·马格祥夫迪 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种阻障堆栈，包含：包含聚合物、有机材料或硅酸盐的第一层；在所述第一层上并包含耐等离子体材料的第二层；在所述第二层上并包含无机材料的第三层，所述第三层具有与所述第二层的密度和/或折射率的不同的密度和/或折射率，其中，所述第二层具有大于1.6或小于1.5的折射率，和30nm至40nm的厚度，并且所述第二层由脉冲DC溅射形成，并且所述第三层包含与所述第二层相同的材料。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||