具有改进的形貌控制的衬底通孔形成

摘要

具有改进的形貌控制的衬底通孔形成。一种器件包括衬底和位于衬底上方的互连结构。互连结构包括层间电介质(ILD)和形成在ILD上方的第一金属间电介质(IMD)。在IMD处形成延伸穿过互连结构至衬底中第一深度的衬底通孔(TSV)。在IMD处形成邻接TSV并延伸至互连结构中第二深度的金属焊盘，其中第二深度小于第一深度。通过金属焊盘形成与TSV的连接件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在晶圆中在半导体衬底上方形成互连结构，其中所述互连结构包括层间电介质(ILD)和位于所述层间电介质上方的金属间电介质(IMD)；在所述晶圆中在所述金属间电介质处形成延伸至所述互连结构和所述半导体衬底中第一深度的第一衬底通孔(TSV)开口；在所述晶圆中在所述金属间电介质处形成邻接所述第一衬底通孔开口并且延伸至所述互连结构中第二深度的第二衬底通孔开口，其中所述第二深度小于所述第一深度；以及用金属材料填充所述第一衬底通孔开口和所述第二衬底通孔开口以形成衬底通孔；其中，所述衬底通孔包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应于所述第一衬底通孔开口，所述第二区域对应于所述第二衬底通孔开口，所述第一区域与所述第二区域共平面，且所述第二区域的顶面在形貌上比第一区域的顶面更平坦。