| 发明名称 | 场发射器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了场发射器件及其制造方法。在本发明的一个实施方式中，一种电子装置包括设置在基板中的第一发射极/集电极区域和第二发射极/集电极区域。所述第一发射极/集电极区域具有第一边缘/尖端，并且所述第二发射极/集电极区域具有第二边缘/尖端。一间隙分离所述第一边缘/尖端和所述第二边缘/尖端。所述第一发射极/集电极区域、所述第二发射极/集电极区域以及所述间隙形成场发射器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103579026B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310314370.8 | 申请日期 | 2013.07.24 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 阿尔方斯·德赫;卡斯滕·阿伦斯;安德烈·施门;达米安·索伊卡 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种电子装置，包括：第一发射极/集电极区域，所述第一发射极/集电极区域设置在基板中并具有第一边缘/尖端；第二发射极/集电极区域，所述第二发射极/集电极区域设置在所述基板中并具有第二边缘/尖端；间隙，分离所述第一边缘/尖端和所述第二边缘/尖端，所述第一发射极/集电极区域、所述第二发射极/集电极区域以及所述间隙形成第一场发射器件；以及沟槽隔离区域，延伸穿过所述第一发射极/集电极区域的所述第一边缘/尖端并且延伸穿过所述第二发射极/集电极区域的所述第二边缘/尖端。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||