A semiconductor device

摘要

반도체 소자는 제1 방향으로 연장되고, 돌출부들 및 리세스부를 포함하는 액티브 핀 구조물을 포함하는 기판, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고 상기 액티브 핀 구조물의 돌출부들을 감싸는 복수의 게이트 구조물들, 상기 게이트 구조물들 사이의 액티브 핀 구조물에 형성되고, 상기 리세스부의 하부를 채우는 제1 에피택시얼 패턴, 상기 제1 에피택시얼 패턴 상에, 상기 리세스부의 측벽과 접하도록 형성되는 제2 에피택시얼 패턴, 그리고 상기 제1 및 제2 에피택시얼 패턴 상에, 상기 리세스부 내부를 채우는 제3 에피택시얼 패턴을 포함하고, 상기 제1 에피택시얼 패턴은 제1 불순물 농도의 제1 불순물 영역을 포함하고, 상기 제2 에피택시얼 패턴은 상기 제1 불순물 농도보다 낮은 제2 불순물 농도의 제2 불순물 영역을 포함하고, 그리고 상기 제3 에피택시얼 패턴은 상기 제2 불순물 농도보다 높은 제3 불순물 농도의 제3 불순물 영역을 포함한다. 상기 반도체 소자는 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.