发明名称 有效控制过刻蚀量的方法
摘要 本发明提供一种有效控制过刻蚀量的方法,提供一自下而上依次包括衬底、刻蚀停止层、层间介质层及硬掩模的测试结构,所述刻蚀停止层的厚度与待刻蚀器件中的一致,然后采用预设刻蚀条件对所述测试结构进行刻蚀,形成若干用于互连的盲孔;再测试刻蚀后的测试结构的纵截面形貌,若所述盲孔的下表面低于所述刻蚀停止层的下表面,且所述盲孔的下表面与所述刻蚀停止层下表面的之间的距离小于或等于预设过刻蚀量,则采用所述预设刻蚀条件对待刻蚀器件进行刻蚀。本发明不需要通过特殊制样增厚刻蚀停止层,且不需要预镀铜层,过刻蚀量的检测方法简单,显著降低了工艺调整的成本;且能够实时监测线上刻蚀工艺,有效控制互连通孔的过刻蚀量,保证产品的良率。
申请公布号 CN104103537B 申请公布日期 2016.12.28
申请号 CN201310113918.2 申请日期 2013.04.02
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 胡敏达;张城龙
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种有效控制过刻蚀量的方法,其特征在于,所述有效控制过刻蚀量的方法至少包括以下步骤:S1:提供一测试结构,所述测试结构自下而上依次包括衬底、刻蚀停止层、层间介质层及硬掩模;所述刻蚀停止层的厚度与待刻蚀器件中对应的刻蚀停止层的厚度相同,且不需要预镀铜层;所述刻蚀停止层的厚度范围是200~400埃;所述衬底的材料为低k介质或超低k介质,所述低k介质满足k<3,所述超低k介质满足k<2.5;S2:在所述硬掩模上形成预设刻蚀图案,然后采用预设刻蚀条件对所述测试结构进行刻蚀,在所述测试结构中形成若干用于互连的盲孔;S3:测试刻蚀后的测试结构的纵截面形貌,若所述盲孔的下表面低于所述刻蚀停止层的下表面,且所述盲孔的下表面与所述刻蚀停止层下表面的之间的距离小于或等于预设过刻蚀量,则采用所述预设刻蚀条件对待刻蚀器件进行刻蚀,若不满足,则进入步骤S4;S4:调节所述预设刻蚀条件中的参数,并重复步骤S1~S3。
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