发明名称 |
半导体制造装置用温度调整装置、半导体制造中的PID常数运算方法、以及半导体制造装置用温度调整装置的运转方法 |
摘要 |
一种半导体制造装置用温度调整装置(3),为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7),所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72),所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换,所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备:PID常数运算部件(85),基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数,运算PID控制用的PID常数;以及PID控制运算部件(86),基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数,进行所述温度调整部件的PID控制。 |
申请公布号 |
CN104508575B |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201380039566.9 |
申请日期 |
2013.07.18 |
申请人 |
科理克株式会社 |
发明人 |
三村和弘 |
分类号 |
G05B11/36(2006.01)I;G05B13/02(2006.01)I;G05D23/19(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
G05B11/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
胡金珑 |
主权项 |
一种半导体制造装置用温度调整装置,为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部,所述热交换部在内部具有对所述流体进行加热冷却的温度调整部件,所述热交换部在所流入的所述流体以及所述温度调整部件之间进行热交换,其特征在于,所述半导体制造装置用温度调整装置被用于闭合型半导体制造装置,所述闭合型半导体制造装置向用于处理半导体的处理槽供应进行了温度调整的流体,从所述处理槽回收处理后的流体,再次进行温度调整,所述半导体制造装置用温度调整装置具备:PID常数运算部件,基于所述流体的循环流量、所述流体的密度以及比热、所述热交换部的热交换部容积、作为所述流体的目标温度以及环境温度之差的函数而提供的散热系数、所述流体流通的所述半导体制造装置的管线的管线容积、所述处理槽内的流体量、以及用于测定所述流体的温度的温度传感器的时间常数,运算PID控制用的PID常数;PID控制运算部件,基于由所述PID常数运算部件运算出的PID常数,进行所述温度调整部件的PID控制;传递函数模型生成部件,使用为了由所述PID常数运算部件算出PID常数而使用的传递函数模型,使所述处理槽内的流体量变化,从而生成多个传递函数模型;输入输出数据存储部件,存储与由温度传感器测量出的温度数据对应的操作量,其中,在基于由所述PID常数运算部件运算出的PID常数,所述PID控制运算部件进行了所述温度调整部件的PID控制时,所述温度传感器在每规定时间测量所述处理槽内的流体的温度;传递函数模型选择部件,算出输出结果以及流体的温度的偏差,选择偏差最少的传递函数模型,其中,所述输出结果是对由所述传递函数模型生成部件生成的各个传递函数模型输入了在所述输入输出数据存储部件中存储的操作量时的输出结果,所述流体的温度是所述输入输出数据存储部件中存储的所述处理槽内的流体的温度;以及传递函数模型修正部件,基于由所述传递函数模型选择部件选择出的传递函数模型,修正传递函数模型,所述PID常数运算部件基于由所述传递函数模型修正部件修正的传递函数模型来校正PID常数。 |
地址 |
日本神奈川县 |