| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；刻蚀第一介质层，形成若干分立的支撑层；在各支撑层两侧形成侧墙；在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述侧墙及所述支撑层；进行烘烤工艺，硬化牺牲层，所述牺牲层的材料为DUO或Si‑ARC；研磨所述牺牲层至暴露出所述支撑层顶部；去除所述牺牲层和所述支撑层。本发明提供的半导体结构的形成方法能够避免在利用自对准图形技术的过程中，最终形成的线条图形歪斜不整齐的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104124139B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310157910.6 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张城龙;张翼英;何其旸 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；刻蚀第一介质层，形成若干分立的支撑层；在各支撑层两侧形成侧墙；在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述侧墙及所述支撑层；进行烘烤工艺，硬化牺牲层，所述牺牲层的材料为DUO或Si‑ARC；研磨所述牺牲层至暴露出所述支撑层顶部；去除所述牺牲层和所述支撑层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||