プラズマ反応容器及び組立体並びにプラズマ処理を実行する方法

摘要

真空チャンバ３０と、この真空チャンバ３０内の第１電極２と、この真空チャンバ３０内の、前記第１電極２に対向し、この第１電極２から離間された第２電極８と、プラズマを前記真空チャンバ３０内に発生させる手段９９と、その他方の電極が接地されている前記第１電極又は前記第２電極８のうちの一方の電極に主ＲＦ電圧を印加するための、前記第１電極又は前記第２電極のうちの一方の電極に電気接続された電源３３と、基板の複数の上面及び下面のうちの少なくとも大部分の面が、前記プラズマ反応容器の任意の部分によって触れられず且つ前記プラズマに曝され得るように、前記第２電極８に電気接触され且つ前記基板８を保持するように構成されている、導電性の材料から成る基板キャリア１３とを有するプラズマ反応容器１００。前記反応容器１００が、前記基板キャリア１３と前記第２電極８との間に形成された第３電極１６をさらに有し、前記第３電極１６が、前記第２電極８から電気絶縁されていて、前記基板キャリア１３が、基板１１を保持するときに、第１隙間が、前記基板１１と前記第３電極１６との間に形成されているように、前記第３電極１６及び基板キャリア１３が配置されている。さらに、対応するアセンブリとプラズマ処理を実行するための方法が提唱されている。