半导体测试装置及测试方法

摘要

一种半导体测试装置及测试方法，所述半导体测试装置中的待测试MOS晶体管的源极、漏极的其中一端与第一测试端相连接，另一端与第二测试端相连接；加热单元围绕待测试MOS晶体管设置，加热单元、电阻和二极管串联且与所述待测试MOS晶体管的源极、漏极并联，且二极管的正极对应于第一测试端，二极管的负极对应于第二测试端。在测试过程中，漏极施加电压应力和参数值测试时，通过在第一测试端、第二测试端施加不同的电压，控制二极管的导通或截止。在施加电压应力时，加热单元处于工作状态，用于模拟真实芯片中高阻器件对附近的MOS晶体管的加热影响。且参数值测试时，二极管的截止，所述加热单元不会影响待测试MOS晶体管的参数值测试。

主权项

一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试端、第二测试端、待测试MOS晶体管、加热单元、二极管和第一电阻；所述待测试MOS晶体管的源极、漏极的其中一端与第一测试端相连接，另一端与第二测试端相连接；所述加热单元围绕所述待测试MOS晶体管设置，所述加热单元、第一电阻和二极管串联且与所述待测试MOS晶体管的源极、漏极并联，所述加热单元、电阻和二极管的串联结构的第一端与第一测试端相连接，第二端与第二测试端相连接，且所述二极管的正极对应于第一测试端，所述二极管的负极对应于第二测试端。