用于制造半导体器件的方法

摘要

在晶片（10）的第一主表面上形成反向阻断IGBT的前表面元件结构、耐受电压结构的前表面元件结构、以及隔离结构的p型隔离区。反向阻断IGBT的前表面元件结构和耐受电压结构的前表面元件结构形成于晶片（10）上的元件形成区（1）中。在元件形成区（1）的元件端部侧形成隔离结构的p型隔离区以围绕耐受电压结构。接着，在晶片（10）从晶片（10）的第二主表面厚度减少后，在晶片（10）的第二主表面中形成到达p型隔离区的沟槽（3）。在该过程中，沟槽（3）形成为使得沟槽（3）的纵向端部不到达晶片（10）的外周端部（2‑1a、2‑2a、2‑1b和2‑2b）。接着，在晶片（10）的第二主表面中形成p型集电极层，且还在沟槽（3）的侧壁中形成与p型集电极层和p型隔离区接触的p型层，且藉此完成反向阻断IGBT。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在第一导电类型的半导体晶片的第一主表面上形成第一电极和作为半导体元件的栅电极的MOS栅结构、用于保持所述半导体元件的击穿电压的边缘终止区、以及围绕所述半导体元件和所述边缘终止区的第二导电类型的第一半导体区域的步骤；形成从所述半导体晶片的第二主表面到达所述第一半导体区域的沟槽的步骤；在所述半导体晶片的第二主表面中形成所述第二导电类型的第二半导体区域和在所述沟槽的侧壁中形成所述第二导电类型的第三半导体区域以电连接至所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的步骤；以及形成电连接至所述第二半导体区域的第二电极的步骤；其中，在形成所述沟槽的步骤中，保留距离所述半导体晶片的外周端预定宽度的所述半导体晶片的部分，形成所述沟槽，使得所述沟槽位于半导体晶片的外周端内，并且仅对于最接近所述半导体晶片的外周端的侧壁使得隅角成为圆弧状或被斜切的平面形状。