制造光电转换装置的方法

摘要

本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。

主权项

一种制造光电转换装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括像素区和外围电路区的基板，其中在像素区中布置扩散层，在像素区和外围电路区中的至少一个中布置包含金属的构件，并且，扩散层和所述构件被绝缘层覆盖；在绝缘层中形成第一接触孔以暴露扩散层；在绝缘层中形成第二接触孔以暴露所述构件；在第一接触孔中形成由金属制成的第一接触插塞(121)以与扩散层连接，在第二接触孔中形成由金属制成的第二接触插塞(123)以与所述构件连接；以及经由第一接触孔将杂质掺入到扩散层，其中，第一接触孔和第二接触孔在第一情形或第二情形下形成，在第一情形中，第一接触插塞的形成是在第二接触孔的形成之前进行的，在第二情形中，第二接触插塞的形成是在第一接触孔的形成之前进行的。