| 发明名称 | 降低外延中的图案负载效应 | ||
| 摘要 | 降低外延中的图案负载效应。一种方法包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠件，在半导体衬底中且邻近于栅极堆叠件形成开口，以及实施第一外延在开口中生长第一半导体层。实施回蚀刻以减小第一半导体层的厚度。实施第二外延以在第一半导体层上方生长第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层具有不同的组成。 | ||
| 申请公布号 | CN103811313B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310158941.3 | 申请日期 | 2013.05.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋学昌;郭紫微;陈冠宇;李昆穆 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠件；在所述半导体衬底中且邻近于所述栅极堆叠件形成开口；实施第一外延以在所述开口中生长第一半导体层；实施回蚀刻以减小所述第一半导体层的厚度；以及实施第二外延以在所述第一半导体层上方生长第二半导体层；所述方法进一步包括：在所述第一外延和所述第二外延期间，将p型杂质分别掺杂到所述第一半导体层和所述第二半导体层中，并且所述第一半导体层中的p型杂质百分比低于所述第二半导体层中的p型杂质百分比。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||