自己整合ゲートエッジ及びローカルインターコネクト、及びそれらの製造方法

摘要

自己整合ゲートエッジ及びローカルインターコネクト構造、並びに、自己整合ゲートエッジ及びローカルインターコネクト構造を製造する方法が説明される。 一例において、半導体構造は、基板の上方に配置され、かつ第１の方向に長さを有する半導体フィンを含む。ゲート構造は、半導体フィンの上に配置され、第１の方向と直交する第２の方向に、第２の端部と向かい合う第１の端部を有する。ゲートエッジ分離構造の対は、半導体フィンをとする。ゲートエッジ分離構造の対のうち第１のゲートエッジ分離構造は、ゲート構造の第１の端部に直接隣接して配置され、ゲートエッジ分離構造の対のうち第２のゲートエッジ分離構造は、ゲート構造の第２の端部に直接隣接して配置される。