一种改善选择性发射极刻蚀后方阻均匀性的扩散方法

摘要

本发明公开了一种改善选择性发射极刻蚀后方阻均匀性的扩散方法，其方法是将沉积和推进过程均分为两步进行；整个扩散工艺过程中，大氮一直保持通入状态；整体的工艺时间与原技术方案相比保持不变。整个工艺步骤依次为：进舟，升温，稳定，沉积‑1，推进‑1，沉积‑2，推进‑2，冷却，退舟。本发明的有益效果是使硅片表面至PN结处形成一个较均匀的浓度，刻蚀后能保持较均匀的刻后方阻，解决串联电阻波动较大的问题。

主权项

一种改善选择性发射极刻蚀后方阻均匀性的扩散方法，其特征是：针对采用三氯氧磷液态源扩散工艺进行优化，使用两步扩散的方法，使硅片表面至PN结处形成一个较均匀的浓度，刻蚀后也能保持较均匀的刻后方阻；整个工艺步骤依次为：进舟，升温，稳定，沉积‑1，推进‑1，沉积‑2，推进‑2，冷却，退舟；将沉积和推进过程均分为两步进行；整个过程中，大氮一直保持通入状态；整体的工艺时间持续62±23min。