发明名称 能够减小不均匀亮度分布的LED阵列
摘要 能够减小不均匀亮度分布的LED阵列。一种半导体发光阵列包括被设置在第一方向较长的长方形基板上并且沿着第一方向排列的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件包括:电极层,其形成在基板上;半导体发光层,其形成在所述电极层上,该半导体发光层沿所述第一方向延长并且包括p型半导体层、有源层和n型半导体层;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个长边形成并且平行于该长边;以及第二布线层,其从所述第一布线层向短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层。在相邻发光元件中,所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。
申请公布号 CN102956785B 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201210303478.2 申请日期 2012.08.23
申请人 斯坦雷电气株式会社 发明人 宫地护;斋藤龙舞
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)N;H01L33/00(2010.01)N;H01L33/62(2010.01)N;F21S8/10(2006.01)N;F21Y101/00(2016.01)N 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种半导体发光阵列,其中,多个半导体发光元件被设置在第一方向较长的长方形基板上,并且所述多个半导体发光元件沿着所述第一方向排列,所述多个半导体发光元件中的每一个包括:电极层,其形成在所述基板上;半导体发光层,其形成在所述电极层上,该半导体发光层具有沿所述第一方向延长以具有长边和短边的长方形形状并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的所述长边形成在所述半导体发光层外侧并且平行于所述长边;以及第二布线层,其从所述第一布线层沿着所述短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面处的所述n型半导体层,其中,在相邻发光元件中,所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。
地址 日本东京都