一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法

摘要

本发明涉及一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法，是在常用的物理气相传输法生长碳化硅单晶的基础上做进一步改进，包括：（1）配制石墨胶；（2）用单面刀片把石墨胶均匀的涂在籽晶非生长面和石墨板的粘接面，然后上石墨胶的两个面叠在一起，尽少量的石墨胶将石墨板与籽晶粘接好；（3）加热使石墨胶固化。本发明的有益效果是：解决了气孔与高温碳化后的粘合剂之间导热性的差异将导致的籽晶背面温度分布不均匀问题，减少了晶体生长过程中由背面蒸发导致的六方空洞缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。

主权项

一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法，是在常用的物理气相传输法生长碳化硅单晶的基础上做进一步改进，其特征在于，包括：（1）配制石墨胶；用石墨粉与粘接剂按比例混合均匀，所述的比例选取1:2‑10之间，所述的粘接剂为单晶制备中常用的粘接剂；（2）用单面刀片把石墨胶均匀的涂在籽晶非生长面和石墨板的粘接面，然后上石墨胶的两个面叠在一起，尽少量的石墨胶将石墨板与籽晶粘接好；（3）加热使石墨胶固化，期间石墨粉在石墨板与籽晶之间形成一个通道，粘接剂固化所产生的气体沿通道顺利排除，从而减少了气孔的产生。