发明名称 |
沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法 |
摘要 |
本发明公开了一种沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法,所述栅极为多晶硅材质,在沟槽内完成多晶硅淀积填充之后,其刻蚀工艺包含两步:首先第一步刻蚀采用各向同性刻蚀,降低台阶高度,第一步的刻蚀量占总刻蚀量的25%~75%;然后再进行第二步的各向异性刻蚀,台阶的高度保持不变。本发明通过各向同性及各向异性两步刻蚀工艺,首先通过第一步各向同性的刻蚀降低台阶的高度,然后再一次各向同性刻蚀使台阶高度维持不变,改善了硅片表面的平坦性。 |
申请公布号 |
CN106252218A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201610874740.7 |
申请日期 |
2016.09.30 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
丛茂杰 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
戴广志 |
主权项 |
一种沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法,所述栅极为多晶硅,沟槽内填充满多晶硅,其特征在于:多晶硅填充完之后,所述多晶硅的刻蚀工艺包含两步:首先第一步刻蚀采用各向同性刻蚀;然后再进行第二步的各向异性刻蚀。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |