| 发明名称 | 沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法，所述栅极为多晶硅材质，在沟槽内完成多晶硅淀积填充之后，其刻蚀工艺包含两步：首先第一步刻蚀采用各向同性刻蚀，降低台阶高度，第一步的刻蚀量占总刻蚀量的25％～75％；然后再进行第二步的各向异性刻蚀，台阶的高度保持不变。本发明通过各向同性及各向异性两步刻蚀工艺，首先通过第一步各向同性的刻蚀降低台阶的高度，然后再一次各向同性刻蚀使台阶高度维持不变，改善了硅片表面的平坦性。 | ||
| 申请公布号 | CN106252218A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610874740.7 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 丛茂杰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法，所述栅极为多晶硅，沟槽内填充满多晶硅，其特征在于：多晶硅填充完之后，所述多晶硅的刻蚀工艺包含两步：首先第一步刻蚀采用各向同性刻蚀；然后再进行第二步的各向异性刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||