具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法

摘要

本公开包括具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法。MEMS结构的衬底在高温下通过融熔接合而接合到一起，这能够在密封MEMS结构的空腔之前更加完全地去除来自衬底中的介电材料的化学物。MEMS结构融熔接合减少了化学物的脱气并与空腔形成工艺相兼容。与共晶接合相比，得益于更高的接合比，通过融熔接合而接合的MEMS结构更加坚固。此外，融熔接合能够在MEMS结构中形成衬底通孔(TSV)。

主权项

一种半导体器件，包括：覆盖衬底，具有空腔，其中，所述覆盖衬底具有第一硅表面；以及衬底结构，其中，所述衬底结构包括至少一个微电子机械系统(MEMS)器件，所述微电子机械系统器件设置在所述空腔内，并且所述衬底结构包括提供第二硅表面的层，其中，所述第一硅表面与所述第二硅表面相接触以形成位于所述衬底结构和所述覆盖衬底之间的熔融接合界面，其中，所述熔融接合界面位于所述第一硅表面与所述第二硅表面之间；至少一个空腔，围绕所述微电子机械系统器件的至少一部分；至少一个衬底通孔(TSV)，延伸穿过所述覆盖衬底和所述熔融接合界面以接触所述衬底结构，其中，所述至少一个衬底通孔包括不包含导电材料的中心区域，并且所述衬底通孔提供了至集成电路部件的电连接；以及聚合物材料，位于所述至少一个衬底通孔的中心区域。