发明名称 一种硅微通道板的氧化方法
摘要 本发明公开了一种硅微通道板的氧化方法,具体步骤如下:1)将硅微通道板切割成一定形状;2)将硅微通道板置1号液和2号液中清洗;3)在平面型石英舟上放置两块平行的硅片或石英棒,将清洗好的硅微通道板架在硅片或石英棒上氧化,石英棒或硅片的方向与气流方向平行。本发明在已经通过阳极氧化等方法制作的硅微通道板的基础上,进行氧化,提高硅微通道板的板电阻,并能够克服应力造成的弯曲等问题,从而实现微通道板的应用。
申请公布号 CN102956416B 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201210402277.8 申请日期 2012.10.19
申请人 华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司 发明人 王连卫;彭波波;杨平雄
分类号 H01J9/12(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01J9/12(2006.01)I
代理机构 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人 吴泽群
主权项 一种硅微通道板的氧化方法,其特征在于:具体步骤如下:1)将硅微通道板切割成一定形状;2)将硅微通道板置1号液和2号液中清洗;3)在平面型石英舟上放置两块平行的硅片或石英棒,将清洗好的硅微通道板架在硅片或石英棒上氧化,石英棒或硅片的方向与气流方向平行;按体积比计,所述的1号液为氨水:双氧水:水=1:2:5;2号液为盐酸:双氧水:水=1:2:8。
地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号