发明名称 |
晶片的加工方法 |
摘要 |
提供晶片的加工方法,得到品质良好的晶片级芯片规模封装(WLCSP)。包含:第1切削槽形成工序,以具有第1厚度的切削刀具从晶片正面侧沿分割预定线形成深度相当于器件完工厚度的第1切削槽;模制工序,在实施了切削槽形成工序的晶片正面敷设模制树脂并在第1切削槽中埋设模制树脂;第2切削槽形成工序,以具有比第1厚度薄的第2厚度的切削刀具形成比晶片正面敷设的模制树脂和第1切削槽中埋设的模制树脂的厚度深而到达晶片的第2切削槽;保护部件粘贴工序,对实施了第2切削槽形成工序的晶片正面所敷设的模制树脂的表面粘贴保护部件;背面磨削工序,对实施了保护部件粘贴工序的晶片背面进行磨削使第2切削槽露出将晶片分割成一个个器件。 |
申请公布号 |
CN106252281A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201610398657.7 |
申请日期 |
2016.06.07 |
申请人 |
株式会社迪思科 |
发明人 |
久保敦嗣;陆昕 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;于靖帅 |
主权项 |
一种晶片的加工方法,该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线,并且在由该多条分割预定线划分的多个区域中形成有在正面上具有凸块的器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:第1切削槽形成工序,利用具有第1厚度的切削刀具而从晶片的正面侧沿着分割预定线形成相当于器件的完工厚度的深度的第1切削槽;模制工序,在实施了该第1切削槽形成工序的晶片的正面上敷设模制树脂并且在该第1切削槽中埋设模制树脂;第2切削槽形成工序,利用具有比该第1厚度薄的第2厚度的切削刀具而形成比敷设于晶片的正面上的模制树脂以及埋设于该第1切削槽中的模制树脂的厚度深而到达晶片的第2切削槽;保护部件粘贴工序,在实施了该第2切削槽形成工序的晶片的正面所敷设的模制树脂的表面上粘贴保护部件;以及背面磨削工序,对实施了该保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该第2切削槽露出,将晶片分割成一个个的器件。 |
地址 |
日本东京都 |