一种g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料的制备方法

摘要

本发明属于纳米复合材料领域，公开了一种g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料及其制备方法。主要是以片层结构的g‑C₃N₄为基体，钼酸铵或钼酸钠为钼源，七水硫酸锌为锌源，盐酸羟胺为还原剂，硫脲或硫代乙酰胺为硫源，通过水热法制备g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料。本发明制备g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料的方法简单易操作，成本低廉，反应条件温和，重现性好，粒径均匀，并在摩擦学、催化、锂电等领域中具有重要的应用，有望用于大规模的工业生产。

主权项

一种g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)g‑C₃N₄分散液的制备：首先制备g‑C₃N₄粉末，然后将g‑C₃N₄粉末添加到去离子水中，超声处理，制得g‑C₃N₄分散液；(2)g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料的制备：首先，依次将钼酸盐、七水硫酸锌、盐酸羟胺加到步骤(1)所得g‑C₃N₄分散液中，磁力搅拌5～10min，得混合液A；然后，称取硫源溶于去离子水中，制得硫源溶液，用滴管逐滴滴加到混合液A中，并不断搅拌5～10min，得混合液B；最后，将混合液B移入聚四氟乙烯为内衬的水热反应釜中反应，反应结束后，自然冷却至室温，离心收集产物，用去离子水和无水乙醇对产物进行洗涤，干燥，得到g‑C₃N₄/MoS₂/ZnS纳米复合材料。