发明名称 |
半导体装置、包括该半导体装置的显示装置 |
摘要 |
本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体装置中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置,该晶体管包括:栅电极;栅电极上的第一绝缘膜;第一绝缘膜上的氧化物半导体膜;与氧化物半导体膜电连接的源电极;以及与氧化物半导体膜电连接的漏电极,在晶体管上设置有第二绝缘膜,在第二绝缘膜上设置有保护膜,第二绝缘膜包含氧,且保护膜包含用于氧化物半导体膜的金属元素中的至少一个。 |
申请公布号 |
CN106256017A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201580020352.6 |
申请日期 |
2015.04.08 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
肥塚纯一;神长正美;黑崎大辅 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李跃龙 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:晶体管,包括:栅电极;所述栅电极上的第一绝缘膜;所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜;与所述氧化物半导体膜电连接的源电极;与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极;所述晶体管上的第二绝缘膜;以及所述第二绝缘膜上的保护膜,其中,所述第二绝缘膜包含氧,并且,所述保护膜包含所述氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一种。 |
地址 |
日本神奈川 |