一种TD‑FPGA芯片封装结构

摘要

本实用新型公开了一种TD‑FPGA芯片封装结构，包括FPGA芯片切片层和芯片中介层，芯片中介层设置在FPGA芯片切片层的外表层上，所述芯片中介层外表层设置有封装层，FPGA芯片切片层包括若干片并排设置单切片组成，单切片之间通过穿过芯片中介层的导电金属线进行通信，单切片为集成逻辑门单元的载体。本实用新型的有益效果是：采用45nm工艺制成的FPGA芯片封装结构，在提高逻辑门单元密度的同时，能有效降低时延效率、降低功耗、提升单切片间的通信带宽，并降低用户选型成，结构简单，同时具有很强的实用性。

主权项

一种TD‑FPGA芯片封装结构，其特征在于：包括FPGA芯片切片层（3）和芯片中介层（2），所述芯片中介层（2）设置在FPGA芯片切片层（3）的外表层上，所述芯片中介层（2）外表层设置有封装层，所述FPGA芯片切片层（3）包括若干片并排设置单切片（4）组成，所述单切片之间通过穿过芯片中介层（2）的导电金属线进行通信。