发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明提供了一种半导体器件,包括集成电路、至少一个外部密封环和至少一个内部密封环。外部密封环围绕集成电路。外部密封环包括堆叠配置的多个金属层,并且金属层是闭合的环形。内部密封环设置在外部密封环和集成电路之间并且与外部密封环分离。内部密封环具有至少一个间隙,该间隙从由内部密封环环绕的区域延伸至内部密封环外部的区域。本发明还提供一种用于制造半导体器件的方法。
申请公布号 CN106252297A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201510760459.6 申请日期 2015.11.10
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨名慧;廖浚廷;陈益德;陈程元;刘和昌
分类号 H01L23/28(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L23/28(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种半导体器件,包括:集成电路;至少一个外部密封环,围绕所述集成电路,其中,所述外部密封环包括堆叠配置的多个金属层,并且所述金属层是闭合的环形;以及至少一个内部密封环,设置在所述外部密封环和所述集成电路之间,并且与所述外部密封环分离,其中,所述内部密封环具有至少一个间隙,所述间隙从由所述内部密封环环绕的区域延伸至所述内部密封环外部的区域。
地址 中国台湾新竹