| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 利用因晶片正面的聚酰亚胺保护膜而产生凹凸来缓和背面研磨用的表面保护带中产生的凹凸，提高对晶片背面进行研磨加工的晶片的厚度精度，降低芯片厚度的偏差。在具有因晶片(1)的聚酰亚胺保护膜(11)而产生的凹凸的正面粘贴具有基材层(5)和粘接剂层(包含中间层)(4)的表面保护带(3)。接着，在以表面保护带(3)一侧作为平台(21)一侧来将晶片(1)放置于平台(21)上之后，通过向平台(21)侧吸引表面保护带(3)并进行加热，来使表面保护带(3)的表面平坦化。接着，在对晶片(1)背面进行研磨加工以使其成为薄晶片之后，在晶片(1)背面形成背面元件结构，并进行切割以切断成芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN104221131B | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201380019118.2 | 申请日期 | 2013.07.29 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 为则启 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡秋瑾 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：粘贴工序，在该粘贴工序中，以半导体晶片的具有凹凸的面作为正面，在粘接剂层和所述半导体晶片之间残留有气泡的状态下使所述粘接剂层粘贴到所述半导体晶片的正面，由此将具有基材层和所述粘接剂层的胶带粘贴到所述半导体晶片的正面；吸引加热工序，在该吸引加热工序中，通过向从所述半导体晶片的正面离开的方向对沿着所述半导体晶片的凹凸形成为波板状的所述胶带进行吸引并加热，从而使所述粘接剂层变形，使波板状的所述基材层的表面平坦。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||