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Eine Hochfrequenzleistungsschaltung (100; 200; 300), umfassend: einen Leistungstransistor (135) mit einem Gate-Anschluss und einem Drain-Anschluss, ein mit dem Drain-Anschluss gekoppeltes Ausgangsanpassungsnetzwerk (140, 145, 150, 155), ein mit dem Gate-Anschluss gekoppeltes Eingangsanpassungsnetzwerk (110–130), und eine Vorspannungsschaltung (104) mit Regelschleife, welche mit dem Leistungstransistor (135) auf dem gleichen Rohchip (640) integriert ist und mit dem Gate-Anschluss gekoppelt ist, um den Leistungstransistor (135) in Abhängigkeit von einer an der Vorspannungsschaltung (104) angelegten Referenzspannung vorzuspannen, wobei die Vorspannungsschaltung (104) eine Erfassungsschaltung (106) zum Erfassen eines Drainstroms des Leistungstransistors (135) und eine Ausgangsschaltung (108) zum Vorspannen des Gate-Anschlusses des Leistungstransistors (135) in Abhängigkeit von einem Unterschied zwischen einer Ausgabe der Erfassungsschaltung (106) und der Referenzspannung umfasst, und wobei die Erfassungsschaltung (106) einen zwischen dem Drain-Anschluss und einem weiteren Drain-Anschluss eines weiteren Transistors (172) gekoppelten Widerstand (167) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungsschaltung einen ersten Operationsverstärker (175), wobei ein Eingang des ersten Operationsverstärkers (175) mit dem Widerstand (167) gekoppelt ist, umfasst, wobei ein Eingang der Ausgangsschaltung (108) mit einem Ausgang des ersten Operationsverstärkers (175) gekoppelt ist und ein Ausgang der Ausgangsschaltung mit dem Gate-Anschluss des Leistungstransistors (135) gekoppelt ist. |
