半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供使用了氧化物半导体膜的截止电流极小的晶体管。此外，本发明通过应用该晶体管从而提供耗电量极小的半导体装置。在衬底上通过加热处理来形成释放氧的基底绝缘膜，在基底绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜，并对衬底进行加热处理。接着，在第一氧化物半导体膜上形成导电膜，并对该导电膜进行加工以形成源电极及漏电极。接着，在对第一氧化物半导体膜进行加工来形成第二氧化物半导体膜之后，立即形成覆盖源电极、漏电极及第二氧化物半导体膜的栅极绝缘膜，并在栅极绝缘膜上形成栅电极。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述方法包括如下步骤：在衬底上形成半导体膜；在所述半导体膜上形成导电膜；通过移除一部分的所述导电膜来加工所述导电膜，从而形成源电极及漏电极；在加工所述导电膜之后，在所述半导体膜上形成抗蚀剂掩模；以及通过使用所述抗蚀剂掩模移除一部分的所述半导体膜来加工所述半导体膜，从而形成包含沟道形成区的第二半导体膜，其中所述半导体膜包括氧化物半导体。