发明名称 一种制作微电子器件的方法
摘要 本发明公开了一种制作微电子器件的方法,涉及激光加工与微电子学领域,特指在半导体元件表面激光雕刻出微米级的集成电路通道,将碳纳米管颗粒注入到电路通道中,利用纳米颗粒的尺寸效应,即平衡吸附常数随着尺寸的减小而增加,碳纳米管颗粒紧密吸附在电路通道内,用强脉冲激光冲击半导体元件表面,碳纳米管颗粒的吸附作用在强冲击波的作用下加强,同时实现碳纳米管颗粒与半导体元件之间的冷焊粘结,碳纳米管嵌入到半导体表面集成电路中,连接各种微型电路元件构成微电子器件,降低微电子器件的电路空间,使微电子器件进一步微小化并提高了其导电性能。本发明可应用于纳米机器人等精密设备。
申请公布号 CN106229292A 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201610742804.8 申请日期 2016.08.26
申请人 江苏大学 发明人 鲁金忠;张文泉;罗开玉;刘月;程龙;余九林
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 江苏纵联律师事务所 32253 代理人 蔡栋
主权项 一种制作微电子器件的方法,其特征在于:在半导体元件表面激光雕刻出微米级的集成电路通道,将碳纳米管颗粒注入到电路通道中,利用纳米颗粒的尺寸效应,即平衡吸附常数随着尺寸的减小而增加,碳纳米管颗粒紧密吸附在电路通道内,用强脉冲激光冲击半导体元件表面,碳纳米管颗粒的吸附作用在强冲击波的作用下加强,同时实现碳纳米管颗粒与半导体元件之间的冷焊粘结,碳纳米管嵌入到半导体表面集成电路中,连接各种微型电路元件构成微电子器件,降低微电子器件的电路空间,使微电子器件进一步微小化并提高其导电性能;具体步骤如下:步骤一,将待处理半导体试样放在酒精溶液中用超声波清洗机清除表面的灰尘与油渍,并完成必要的裂纹探测过程;步骤二,在半导体试样表面采用激光雕刻的方法制作出微米级的集成电路通道;步骤三,将碳纳米管颗粒注入到电路通道中,利用纳米颗粒的尺寸效应使之紧密吸附在电路通道中;步骤四,将预注入碳纳米管颗粒的半导体试样表面覆盖上吸收层与约束层,并将其安装在五轴工作台上;步骤五,通过激光器控制装置设定激光器的输出功率和光斑参数;步骤六,通过数控系统调节五轴工作台使激光束光斑中心与基体非光滑表面待冲击区域的左上角重合在A点,作为冲击强化处理起始位置,并使待冲击区域X轴和Y轴方向与工作台的X轴和Y轴方向一致;步骤七,打开激光器,采用逐行加工的方法通过数控系统控制五轴工作台的移动实现对试样待加工表面进行激光冲击强化,最终完成对整个待冲击区域的冲击强化,获得嵌入碳纳米管颗粒的电路通道;步骤八,在碳纳米管电路通道中连接入各种电路元件构成微电子器件。
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