抗蚀剂下层膜形成用组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法

摘要

本发明提供可以形成密合性优异的所期望的抗蚀剂图案、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R₁表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R₂表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或‑C(＝O)O‑X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R₃表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或卤代基，R₄表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R₅表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。)。

主权项

一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂，式中，R₁表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R₂表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或‑C(＝O)O‑X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R₃表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基或卤代基，R₄表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R₅表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。