包括加厚的再分布层的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体封装的方法，所述方法可包括在多个半导体管芯的有源表面上方形成多个厚再分布层(RDL)迹线，所述多个厚再分布层迹线电连接到所述多个半导体管芯上的接触焊盘；分割包括所述多个厚RDL迹线的所述多个半导体管芯；将分割的所述多个半导体管芯安装在临时载体的上方，其中所述多个半导体管芯的所述有源表面背离所述临时载体取向；将密封剂材料设置在所述多个半导体管芯中的每一者的所述有源表面和至少四个侧表面上方、所述多个厚RDL迹线上方以及所述临时载体上方；形成穿过所述密封剂材料的通孔，以相对于所述密封剂材料暴露所述多个加厚的RDL迹线中的至少一个迹线；移除所述临时载体，并分割所述多个半导体管芯。

主权项

一种制造半导体封装的方法，包括：在多个半导体管芯的有源表面上方形成多个厚再分布层(RDL)迹线，所述多个厚再分布层迹线电连接到所述多个半导体管芯上的接触焊盘；分割包括所述多个厚再分布层迹线的所述多个半导体管芯；将分割的所述多个半导体管芯安装在临时载体的上方，其中所述多个半导体管芯的所述有源表面背离所述临时载体取向；将密封剂材料设置在所述多个半导体管芯中的每一者的所述有源表面和至少四个侧表面上方、所述多个厚再分布层迹线上方以及所述临时载体上方；形成穿过所述密封剂材料的通孔，以暴露相对于所述密封剂材料的多个加厚的再分布层迹线中的至少一个迹线；移除所述临时载体；并且分割所述多个半导体管芯。