一种硅锗纳米线的制作方法

摘要

本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B；(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C；(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D；(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积40纳米宽的金属铂；(8)利用金属铂为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层B、硅锗沟道层B、锗牺牲层A、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除金属铂；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。

主权项

一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片(2)在该基片上生长40纳米厚的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在硅锗沟道层A上生长40纳米厚的P型掺杂的锗牺牲层B；(4)在锗牺牲层B上生长40纳米厚的P型掺杂的硅锗沟道层C；(5)在硅锗沟道层C上生长40纳米厚度的P型掺杂锗牺牲层D(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻制作中间是40纳米宽、1微米长纳米带，两端是10微米见方正方形的电子束胶图形；(8)利用电子束光刻胶为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层D、硅锗沟道层C、锗牺牲层B、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除电子束光刻胶；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层B和锗牺牲层D；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。