| 发明名称 | 一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片 | ||
| 摘要 | 一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片，属于半导体制造领域。其特征在于：包括外延层（4），在外延层（4）的表面设置有多个沟槽，在沟槽的侧壁下部以及沟槽的底部设置有沟槽底部氧化层（3），在沟槽底部氧化层（3）内部填充有多晶硅（2），在外延层（4）的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅（2）的上表面上设置有肖特基界面（1）。本大导电面积的沟槽式肖特基芯片，在相同芯片面积的前提下，兼顾了芯片的耐压能力以及导电面积，提高了导电效率同时不会对增大正向压降。 | ||
| 申请公布号 | CN205810811U | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201620604017.2 | 申请日期 | 2016.06.20 |
| 申请人 | 淄博汉林半导体有限公司 | 发明人 | 薛涛;关仕汉 |
| 分类号 | H01L27/102(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人 | 孙爱华 |
| 主权项 | 一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片，其特征在于：包括外延层（4），在外延层（4）的表面设置有多个沟槽（5），在沟槽（5）的侧壁下部以及沟槽（5）的底部设置有沟槽底部氧化层（3），在沟槽底部氧化层（3）内部填充有多晶硅（2），在外延层（4）的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅（2）的上表面上设置有肖特基界面（1）。 | ||
| 地址 | 255086 山东省淄博市高新技术产业开发区政通路135号高科技创业园C416室 | ||