发明名称 |
一种基于离子束刻蚀的打标方法及应用 |
摘要 |
本发明涉及一种基于离子束刻蚀的打标方法及应用,所述打标方法包括如下步骤:在基片表面涂覆一层光刻胶层;借助图形化的掩膜版,利用紫外光对光刻胶层进行曝光;去除图形化的掩膜版,得到图形化的光刻胶层;借助图形化的光刻胶层,使用离子源发射的离子束对基片的待标记处进行刻蚀;剥离图形化的光刻胶层,得到图形化的基片,实现对基片的标记。本发明通过离子束刻蚀的方法对产品进行打标,刻蚀出的标记线条侧壁几乎是垂直的,不会产生过度的线条展宽,使得最终获得的标记线条精度可达到几十纳米级,远高于激光打标机几十微米级的线条精度,从而能够明显提高打标的精度。 |
申请公布号 |
CN106226994A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610797743.5 |
申请日期 |
2016.08.31 |
申请人 |
北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 |
发明人 |
刁克明 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京格允知识产权代理有限公司 11609 |
代理人 |
周娇娇;谭辉 |
主权项 |
一种基于离子束刻蚀的打标方法,其特征在于,所述打标方法包括如下步骤:S1:在基片表面涂覆一层光刻胶层;S2:借助图形化的掩膜版,利用紫外光对光刻胶层进行曝光;S3:去除图形化的掩膜版,得到图形化的光刻胶层;S4:借助图形化的光刻胶层,使用离子源发射的离子束对基片的待标记处进行刻蚀;S5:剥离图形化的光刻胶层,得到图形化的基片,实现对基片的标记。 |
地址 |
100071 北京市丰台区小屯路150号 |