一种非带隙无电阻CMOS基准源

摘要

本发明属于模拟电路技术领域，具体涉及一种非带隙无电阻CMOS基准源。本发明的基准源无需额外的启动电路，电源上电后，基准电压自行建立，不需要二极管或者BJT和电阻的CMOS基准源，同时该基准源架构可以剔除迁移率等非线性温度项对输出基准电压精度的影响。

主权项

一种非带隙无电阻CMOS基准源，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6和电流源；电流源的一端接电源，另一端接第六NMOS管MN6的漏极；第六NMOS管MN6的栅极和漏极互连，其源极接地；第三NMOS管MN3的漏极接第五PMOS管MP5的漏极，第三NMOS管MN3的栅极接第六NMOS管MN6的漏极，第三NMOS管MN3的源极接地；第四PMOS管MP4的源极接电压，其栅极接第五PMOS管MP5的漏极；第五PMOS管MP5的源极接第四PMOS管MP4的漏极，第五PMOS管MP5的栅极接第六PMOS管MP的漏极；第六PMOS管MP的源极接第五PMOS管MP5的漏极，第六PMOS管MP的栅极与六级互连；第二NMOS管MN2的漏极接第六PMOS管MP的漏极，第二NMOS管MN2的接第六NMOS管MN6的漏极，第二NMOS管MN2的源极接地；第三PMOS管MP的源极接电源，第三PMOS管MP的栅极接第四PMOS管MP4的漏极；第一NMOS管MN1的漏极接第三PMOS管MP的源极，第一NMOS管MN1的源极接地；第二PMOS管MP2的源极接电源，第二PMOS管MP2的栅极接第四PMOS管MP4的漏极；第一PMOS管MP1的源极接第二PMOS管MP2的漏极，第一PMOS管MP1的栅极和漏极接地；第七PMOS管MP7的源极接电源，其栅极和漏极互连；第四NMOS管MN4的漏极接第七PMOS管MP7的漏极，第四NMOS管MN4的栅极接第三PMOS管MP3的漏极，第四NMOS管MN4的源极接地；第八PMOS管MP8的源极接地，其栅极接第七PMOS管MP7的漏极；第九PMOS管MP9的源极接第八PMOS管MP8的漏极，第九PMOS管MP9的栅极接第二PMOS管MP2的漏极，第九PMOS管MP9的漏极接地；第十PMOS管MP10的源极接第八PMOS管MP8的漏极，第十PMOS管MP10的栅极与漏极互连；第五NMOS管MN5的漏极接第十PMOS管MP10的漏极，第五NMOS管MN5的栅极接第三PMOS管MP3的漏极，第五NMOS管MN5的源极接地；第十PMOS管MP10的漏极为基准源的输出端。