使用灯组件的基板下侧斜向加热

摘要

本发明公开用于处理基板的方法及设备。设备为双重功能处理腔室，所述双重功能处理腔室可在基板上执行材料处理与热处理两者。腔室具有环形辐射源，所述环形辐射源安置于腔室的处理位置与输送位置之间。升降销具有长度，所述长度足以在基板支撑件下降至辐射源平面下方时将基板保持在处理位置以提供基板的辐射加热。一种处理具有形成于基板的第一表面中的孔的所述基板的方法包括以下步骤：在孔中的第一表面上沉积材料，以及通过加热与第一表面相对的基板的第二表面来使材料再流。接着可沉积第二材料，从而部分或完全地填充孔。或者，可执行循环沉积/再流处理。

主权项

一种用于处理半导体基板的腔室，所述腔室包含：辐射能源，所述辐射能源定位于所述腔室的周边区域处，以在所述腔室的处理位置与输送位置之间提供辐射源，其中所述辐射能源安置于多个不连续的支撑件上，所述多个不连续的支撑件自所述腔室的侧壁径向向内延伸；反射体，所述反射体定位于所述处理位置下方，所述反射体向上朝向所述处理位置定向，以及所述反射体安置于所述辐射能源周围；以及气源，所述气源安置于所述处理位置上方。