发明名称 Photozelle mit einer Schichtfolge zum Aufwärts-Konvertieren von Photonenenergie und einer Halbleiterschicht
摘要 Photozelle (100), mit folgenden Merkmalen: einer Schichtfolge (110) zum Aufwärts-Konvertieren von Photonenenergie; und einer Halbleiterschicht (120), die auf der Schichtfolge (110) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht (120) eine Energiebandlücke (Eg) aufweist; wobei die Halbleiterschicht (120) ausgebildet ist, um einfallende Photonen (101) mit einer Energie (Eph0), die zumindest der Energiebandlücke (Eg) der Halbleiterschicht (120) entspricht, zu absorbieren; wobei die Schichtfolge (110) ausgebildet ist, um die Anfangsenergie (Eph1) von durch die Halbleiterschicht (120) transmittierten niederenergetischen Photonen (121) auf eine Ausgangsenergie (Eph2) zu erhöhen, so dass die Ausgangsenergie (Eph2) mindestens der Energiebandlücke (Eg) der Halbleiterschicht (120) entspricht; und wobei die Schichtfolge (110) ausgebildet ist, um die Photonen (125) mit der Ausgangsenergie (Eph2) in Richtung der Halbleiterschicht (120) zu lenken; wobei die Schichtfolge (110) ein erstes Paar (130) von Reaktionsschichten mit einer ersten Reaktionsschicht (132) und einer zweiten Reaktionsschicht (134) aufweist; wobei die erste Reaktionsschicht (132) ausgebildet ist, um eine Photon-Elektron-Wechselwirkung zwischen den durch die Halbleiterschicht (120) transmittierten niederenergetischen Photonen (121) mit der Anfangsenergie (Eph1), die auf die erste Reaktionsschicht (132) auftreffen, und Elektronen, die sich in der ersten Reaktionsschicht (132) befinden, zu bewirken; wobei die erste Reaktionsschicht (132) ausgebildet ist, um die Elektronen, die sich in der ersten Reaktionsschicht (132) befinden, von einem niederenergetischen Zustand (Ek1) mittels der durch die Halbleiterschicht (120) transmittierten niederenergetischen Photonen (121) mit der Anfangsenergie (Eph1), die auf die erste Reaktionsschicht (132) auftreffen, in einen höherenergetischen Zustand (Ek2) zu versetzen; wobei die zweite Reaktionsschicht (134) ausgebildet ist, um Phononen mit einer ersten Phononenenergie (Eω1) für die erste Reaktionsschicht (132) bereitzustellen; ...
申请公布号 DE102012224174(B4) 申请公布日期 2016.12.08
申请号 DE201210224174 申请日期 2012.12.21
申请人 Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V. 发明人 Reinecke, Holger;Doria, Patrick
分类号 H01L31/055;C09K11/88;H01L31/056 主分类号 H01L31/055
代理机构 代理人
主权项
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