| 发明名称 | 无掩模双硅化工艺 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种形成半导体器件的方法。方法包括在第一器件区中的第一源极/漏极区上方形成诸如氧化层的掩模层。形成诸如层间介电层的介电层并且图案化该介电层以暴露第一源极/漏极区和第二器件区中的第二源极/漏极区。对第二源极/漏极区实施硅化处理，同时掩模层保护第一源极/漏极区。然后去除掩模层并且在第一源极/漏极区上实施硅化处理。本发明实施例涉及无掩模双硅化工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN106206435A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510262502.6 | 申请日期 | 2015.05.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李振铭;杨复凯;王宪程;王美匀 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一器件区和第二器件区；在所述第一器件区中形成第一栅极堆叠件和在所述第二器件区中形成第二栅极堆叠件，第一源极/漏极区位于所述第一栅极堆叠件的相对两侧上，第二源极/漏极区位于所述第二栅极堆叠件的相对两侧上；沿着所述第一源极/漏极区的表面形成掩模层；在所述第一器件区和所述第二器件区上方形成图案化的介电层，通过所述图案化的介电层暴露所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区；在所述第二源极/漏极区上方形成第二硅化物层；去除所述掩模层；以及在所述第一源极/漏极区上方形成第一硅化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||