半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

主权项

一种半导体装置，其为在同一半导体基板上形成有绝缘栅双极性晶体管区和二极管区，且在所述半导体基板的表面上形成有表面电极的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，所述绝缘栅双极性晶体管区具备：n型的漂移区；n型的势垒区，其被形成于所述漂移区的表面侧；p型的体区，其被形成于所述势垒区的表面侧；n型的发射区，其被形成于所述体区的表面侧，且与所述表面电极导通；p型的体接触区，其被形成于所述体区的表面侧且与所述发射区不同的位置处，并且与所述体区相比杂质浓度较高，且与所述表面电极导通；多个栅极沟槽，其从所述半导体基板的表面起贯穿所述发射区、所述体区和所述势垒区并延伸至到达所述漂移区的深度为止；n型的柱区，其在所述栅极沟槽与所述栅极沟槽之间从所述半导体基板的表面起贯穿所述体区并延伸至到达所述势垒区的深度为止，且与所述表面电极和所述势垒区导通；所述二极管区具备：n型的漂移区；n型的势垒区，其被形成于所述漂移区的表面侧；p型的阳极区，其被形成于所述势垒区的表面侧；p型的阳极接触区，其被形成于所述阳极区的表面侧的至少一部分上，并且与所述阳极区相比杂质浓度较高，且与所述表面电极导通；多个栅极沟槽，其从所述半导体基板的表面起至少贯穿所述阳极区和所述势垒区并延伸至到达所述漂移区的深度为止；n型的柱区，其在所述栅极沟槽与所述栅极沟槽之间从所述半导体基板的表面起贯穿所述阳极接触区与所述阳极区并延伸至到达所述势垒区的深度为止，且与所述表面电极和所述势垒区导通，在对所述半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，所述柱区露出于所述半导体基板的表面的柱露出范围、所述柱区与所述阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、所述阳极区与所述阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围，在所述柱接触范围与所述阳极接触范围所并排的方向上的所述柱接触范围的宽度与所述阳极接触范围的宽度相比而较窄。