| 发明名称 | 在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法，其包括如下步骤：制备化学镀液；将半导体基材置于所述化学镀液中，在0～30℃下进行静置，完成有机膜在半导体基材表面的接枝。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：1、本发明的方法中，在F<sup>‑</sup>的作用下，不需要其他的外加设备和温度条件，即可在半导体基材上制备出均一的厚有机膜；2、步骤简单，易于操作，成本较低，适用于半导体领域和工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN106206252A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610510595.4 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 张珊珊;李明;高兰雅;张俊红 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 郭国中 |
| 主权项 | 一种在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：制备化学镀液；将半导体基材置于所述化学镀液中，在0～30℃下进行静置，完成有机膜在半导体基材表面的接枝。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||