| 摘要 |
본 발명은 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 AlGaN/GaN HEMT에 SF플라즈마 처리를 적용하여 게이트 누설전류, 문턱전압 이하의 특성, 그리고 전류감쇄현상을 개선하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 AlGaN/GaN HEMT 소자의 게이트 누설전류 감소방법은 SF플라즈마 처리의 에칭을 통해, GaN 표면을 고온의 오믹 열처리하는 동안 보호하기 위해 증착된 SiN사전(pre) 패시베이션층을 오믹 공정이 끝난 후 제거하고, GaN 표면을 처리한 다음, ICP-CVD을 이용하여N플라즈마 전처리 후, SiN패시베이션층을 재증착하는 것을 특징으로 한다. |
