一种GaN基发光二极管外延片的生长方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：升高温度将衬底在纯氢气气氛下进行热处理；降低温度沉积缓冲层；进行多个阶段的升温，再生长过渡层，过渡层为从二维生长先转为三维生长再转为二维生长的多层AlGaN层，多层AlGaN层包括交替层叠的第一AlGaN层和第二AlGaN层，第一AlGaN层和第二AlGaN层的Al组分不同，同一阶段的温度恒定，且不同阶段的温度随时间的增长而升高；升高温度沉积非掺杂GaN层；生长N型层；交替生长InGaN层和GaN层，形成多量子阱层；生长P型电子阻挡层；生长P型层；生长P型接触层。本发明适应大尺寸外延片的生产。

主权项

一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：升高温度将衬底在纯氢气气氛下进行热处理；降低温度沉积缓冲层；进行多个阶段的升温，再生长过渡层，所述过渡层为从二维生长先转为三维生长再转为二维生长的多层AlGaN层，所述多层AlGaN层包括交替层叠的第一AlGaN层和第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二AlGaN层的Al组分不同，同一所述阶段的温度恒定，且不同所述阶段的温度随时间的增长而升高；升高温度沉积非掺杂GaN层；生长掺杂Si的GaN层，形成N型层；交替生长InGaN层和GaN层，形成多量子阱层；生长掺杂Mg的AlGaN层，形成P型电子阻挡层；生长掺杂Mg的GaN层，形成P型层；生长掺杂Mg的GaN层，形成P型接触层，所述P型接触层的厚度小于所述P型层的厚度。