发明名称 采用微热电发电机的3D芯片
摘要 本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片,包括一N层结构的3D芯片,所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶,则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机;所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶,则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本实用新型利用其高的热功率密度和多维的空间结构,在现有的半导体工艺下,采用微热电发电机技术,提高芯片的整体能效,加快芯片散热。
申请公布号 CN205789932U 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201620509927.2 申请日期 2016.05.31
申请人 福州大学 发明人 魏榕山;于静;李睿;钟美庆
分类号 H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种采用微热电发电机的3D芯片,其特征在于:包括一N层结构的3D芯片,所述3D芯片的底层与顶层的温度最低,作为所述3D芯片的冷源,所述3D芯片的中间层温度最高,作为所述3D芯片的热源;所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶,则所述3D芯片的顶层、所述3D芯片的中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机;所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶,则所述3D芯片的底层、所述3D芯片的中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。
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