发明名称 | 采用微热电发电机的3D芯片 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片,包括一N层结构的3D芯片,所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶,则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机;所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶,则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本实用新型利用其高的热功率密度和多维的空间结构,在现有的半导体工艺下,采用微热电发电机技术,提高芯片的整体能效,加快芯片散热。 | ||
申请公布号 | CN205789932U | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
申请号 | CN201620509927.2 | 申请日期 | 2016.05.31 |
申请人 | 福州大学 | 发明人 | 魏榕山;于静;李睿;钟美庆 |
分类号 | H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
主权项 | 一种采用微热电发电机的3D芯片,其特征在于:包括一N层结构的3D芯片,所述3D芯片的底层与顶层的温度最低,作为所述3D芯片的冷源,所述3D芯片的中间层温度最高,作为所述3D芯片的热源;所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶,则所述3D芯片的顶层、所述3D芯片的中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机;所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连,所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶,则所述3D芯片的底层、所述3D芯片的中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。 | ||
地址 | 350002 福建省福州市鼓楼区工业路523号 |