用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种用于Te‑N共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积。本发明提供的用于Te‑N共掺氧化锌薄膜的制备方法，通过ALD逐层循环的生长方式生长Te‑N共掺的氧化锌薄膜，而且方法简单，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中进行掺杂，共掺后的氧化锌薄膜，有利于促进p型电导的形成。

主权项

一种用于Te‑N共掺氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积；所述衬底为经浓硫酸和双氧水处理，并经超纯水超声过的硅片、蓝宝石或玻璃，衬底表面带有羟基；所述锌源是含锌的烷基化合物或含锌的卤化物，所述氧源是水蒸汽或氧气等离子体；所述掺杂N源为N₂O、N₂、NO、NO₂或NH₃等离子体；所述含锌的卤化物是氯化锌ZnCl₂，所述含锌的烷基化合物是二乙基锌Zn(C₂H₅)₂或二甲基锌Zn(CH₃)₂。