存储器的形成方法

摘要

本发明提供一种存储器的形成方法，包括：提供衬底；所述衬底上具有初始栅极层，所述初始栅极层上具有牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口，所牺牲层侧壁表面具有初始第一侧墙，所述初始第一侧墙包括底部区域和位于所述底部区域上的顶部区域；对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，形成第一侧墙；去除第一开口底部暴露出的初始栅极层，形成栅极层和第二开口；形成第一侧墙和所述栅极层之后，形成覆盖所述栅极层侧壁的第二侧墙，在所述第二开口中形成字线结构。所述形成方法形成字线结构的研磨工艺窗口较大，所述字线结构的形成工艺较稳定。

主权项

一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有初始栅极层，所述初始栅极层上具有牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口；在所述第一开口侧壁的牺牲层侧壁表面形成初始第一侧墙，所述初始第一侧墙位于所述初始栅极层上，所述初始第一侧墙包括底部区域和位于所述底部区域上的顶部区域；对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，形成第一侧墙；去除所述第一开口底部暴露出的初始栅极层，形成栅极层和位于所述栅极层和牺牲层中的第二开口；形成第一侧墙和所述栅极层之后，形成覆盖所述栅极层侧壁的第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙底部区域的顶部；形成所述第二侧墙之后，在所述第二开口中形成字线结构；形成所述字线结构之后，去除所述牺牲层。