可规划的非易失性内容可定址存储器及其操作方法

摘要

本发明提供一种可规划的非易失性内容可定址存储器及其操作方法，该非易失性内容可定址存储器包含一个互补的非易失性存储器装置对及一个MOSFET装置。规划的非易失性内容可定址存储器单元可被建构以形成一NOR型匹配线非易失性存储器阵列及一NAND型匹配线非易失性存储器阵列。相较于只能根据已知的储存地址利用地址码来存取随机存储器，本发明可规划的非易失性内容可定址存储器可预先规划非易失性存储器内容数据以及利用输入内容数据来搜寻以触发后续的运算过程。本发明可规划的非易失性内容可定址存储器的独特性为神经运算技术提供一个关键元件。

主权项

一种非易失性内容可定址存储器，其特征在于，所述非易失性内容可定址存储器包含：一个NOR型匹配线非易失性存储器阵列，包含有多个NVCAM单元，被配置为具有行与列的电路组态，各所述NVCAM单元包含一切换晶体管；多条水平延伸的匹配线，各所述匹配线连接至一对应行中多个NVCAM单元；以及多个位线对及多条共源极线，垂直地延伸，各所述位线对连接至一对应列中多个NVCAM单元，各所述共源极线连接至两对应相邻列中多个NVCAM单元；其中，位于同一行的所述多个NVCAM单元被分为多个单元配对，使得同一列的单元配对的切换晶体管的源极电极相连接以形成一对应的共源极线，而同一行的单元配对的切换晶体管的漏极电极相连接以形成一对应的匹配线。