| 发明名称 | 具有槽型结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种具有槽型结构的半导体器件，其特征在于，具有：已形成于半导体衬底的主面上的槽；至少已形成于所述槽的内表面上的绝缘膜；以及在所述绝缘膜上至少已形成于所述槽的内部的导电部，所述绝缘膜形成为在所述槽的内表面上相接地形成的热氧化膜和在该热氧化膜上层叠了CVD氧化膜的2层结构、或在所述槽的内表面上相接地形成的热氧化膜和在该热氧化膜上层叠CVD氧化膜并且再层叠了热氧化膜的3层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100350626C | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200410082631.9 | 申请日期 | 1998.03.13 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 中村胜光 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种具有槽型结构的半导体器件，其特征在于，具有：已形成于半导体衬底的主面上的槽；至少已形成于所述槽的内表面上的绝缘膜；以及在所述绝缘膜上至少已形成于所述槽的内部的导电部，所述绝缘膜形成为在所述槽的内表面上相接地形成的热氧化膜和在该热氧化膜上层叠了CVD氧化膜的2层结构、或在所述槽的内表面上相接地形成的热氧化膜和在该热氧化膜上层叠CVD氧化膜并且再层叠了热氧化膜的3层结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||