| 发明名称 | 一种超结VDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种超结VDMOS器件，该器件包括叠加设置的N+衬底、第一N‑外延层、第二N‑外延层，所述第一N‑外延层内设置有P型区，所述第二N‑外延层内设置有P‑pillar区，所述P‑pillar区与P型区对齐。本实用新型通过注入一个嵌入的p型区和深沟槽p‑pillar区对准、并p型区和p‑pillar区有一定距离，在保持沟槽的深宽和深宽比的情况下，能有效地提高击穿电压，避免因为沟槽太深，p型Si回填引起可能的空洞，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN205789988U | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201521131397.4 | 申请日期 | 2015.12.30 |
| 申请人 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 | 发明人 | 周宏伟;任文珍;张园园;徐西昌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人 | 李罡 |
| 主权项 | 一种超结VDMOS器件，其特征在于，该器件包括叠加设置的N+衬底、第一N‑外延层、第二N‑外延层，所述第一N‑外延层内设置有P型区，所述第二N‑外延层内设置有P‑pillar区，所述P‑pillar区与P型区对齐。 | ||
| 地址 | 710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区 | ||