| 发明名称 | 等离子体处理装置和聚焦环 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。 | ||
| 申请公布号 | CN106206235A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610365275.4 | 申请日期 | 2016.05.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岸宏树;徐智洙 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;王雪燕 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：用于对被处理体进行等离子体处理的腔室；设置在所述腔室的内部，具有用于载置所述被处理体的载置面的载置台；和聚焦环，其以包围载置于所述载置面的所述被处理体的方式设置在所述载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比所述载置面低的第一平坦部、比所述第一平坦部低的第二平坦部和比所述第一平坦部高的第三平坦部。 | ||
| 地址 | 日本，东京都 | ||