| 摘要 |
【課題】ｎ形半導体領域に含まれるｎ形不純物量と、ｐ形半導体領域に含まれるｐ形不純物量と、の差を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１開口を形成する工程と、第２導電形の不純物をイオン注入する工程と、第２導電形の第３半導体層を形成する工程と、を有する。前記第１開口を形成する工程において、第１導電形の第１半導体層の上に設けられた第１導電形の第２半導体層に、第２方向に延び、第３方向において、上部の寸法が下部の寸法よりも長い第１開口を形成する。前記イオン注入する工程において、前記第１開口の前記下部の側面に、第２導電形の不純物をイオン注入する。前記第３半導体層を形成する工程において、前記第１開口の内部に前記第３半導体層を形成する。【選択図】図１ |
